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[第一财经]催谜药商

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论坛元老

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发表于 2026-1-10 18:26:36 | 显示全部楼层 |阅读模式
催谜药商《网·站mmgg520.com》DRAM 成本低,容量大,但是可用的 eDRAM IP 核工艺节点不先进,读取延迟(Latency)也大,且需要定期刷新数据。Flash 则属于非易失性存储器件,具有低成本优势,一般适合小算力场景。SRAM 在速度方面具有极大优势,有几乎最高的能效比,容量密度略小,在精度增强后可以保证较高精度,一般适用于云计算等大算力场景。  免责声明:本文内容由网友综合整理,版权归原作者所有。刊发此文旨在信息传递,不代表本网站观点和立场。内容未经本网核实,请读者自行核实并作为参考。《网·站mmgg520.com》催谜药商《网·站mmgg520.com》



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